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2024-10-20
三星电子发布业界首款24Gb GDDR7 DRAM芯片,速度超过40Gbps,适用于数据中心和AI工作站。采用第五代10纳米工艺和PAM3技术,提升性能与能效。该芯片将于今年开始验证,明年初量产。
2024-10-18
SK海力士发布GDDR7 DRAM芯片,速度高达32Gbps,能效提升50%,热阻减少74%,适用于AI、HPC及自动驾驶领域,推动高端存储市场革新。
2024-10-11
SK海力士推出了全球首款采用第六代10纳米级工艺的16Gb DDR5 DRAM芯片,提升了30%以上的生产率、11%的运行速度和9%以上的能效,为高性能数据中心提供更高效、更具成本效益的解决方案。
2024-10-10
SK海力士宣布12L HBM3E DRAM芯片正式量产,这款创新产品在速度、容量和稳定性方面达到全球最高水平,进一步巩固了SK海力士在AI存储器市场的领导地位。
2024-10-09
三星电子宣布量产12纳米级DDR5 DRAM,功耗降低23%,生产效率提高20%,传输速率达7.2Gbps,适合数据中心和AI应用。已通过与AMD兼容的16Gb DDR5 DRAM IC测试,预计2023年下半年开始量产。
2024-10-08
三星推出的HBM3E 12H 24GB DRAM芯片,通过垂直堆叠12层每层24Gb的DRAM,达到36GB总容量。该芯片提供9.8Gbps的数据传输速率和1,250GB/s的带宽,并优化了热管理和能效。
2024-10-07
三星推出业界首款基于第八代V-NAND技术的PCIe 4.0汽车级SSD AM9C1,提供高达4,400MB/s的读取速度和增强的可靠性,旨在满足自动驾驶车辆等高性能应用的需求。
2024-09-26