‌三星LPDDR4 (16GB)DRAM芯片:K4F6E3S4HM-GFCL / K4FHE3D4HA-GFCL / K4U6E3S4AB-MGCL

三星K4F6E3S4HM-GFCL、K4FHE3D4HA-GFCL等LPDDR4 16GB DRAM芯片,支持4266Mbps高速、低功耗设计,适用于智能手机、车载及AR设备。

  • 型号: K4F6E3S4HM-GFCL / K4FHE3D4HA-GFCL / K4U6E3S4AB-MGCL
  • 类型: LPDDR4 DRAM
  • 电压: 1.1V
  • 电流: /
  • 存储器格式: DRAM
  • 存储容量: 16Gb (单颗) / 24Gb (单颗) / 16Gb (单颗)
  • 工作温度: 0°C~85°C / -40°C~95°C / -25°C~85°C
  • 封装/外壳: 200-FBGA
  • 品牌: 三星(SAMSUNG)

产品概述

        三星 ‌K4F6E3S4HM-GFCL‌、‌K4FHE3D4HA-GFCL‌ 和 ‌K4U6E3S4AB-MGCL‌ 是专为高性能移动设备设计的 ‌LPDDR4 16GB DRAM 芯片‌,采用先进制程工艺,支持双通道架构与低功耗优化。其中,‌K4F6E3S4HM-GFCL‌ 单颗容量为 16Gb(2GB),需 8 颗组合成 16GB 模块,速率达 4266Mbps,适配智能手机、平板等紧凑型设备;‌K4FHE3D4HA-GFCL‌ 侧重能效比优化(3733Mbps),适合 AI/VR 场景;‌K4U6E3S4AB-MGCL‌ 则具备宽温(-25°C~85°C)与 ECC 纠错功能,面向工业级应用。全系列采用 200-FBGA 封装,兼容主流移动平台,满足高密度存储与实时数据处理需求。

核心技术规格

1. K4F6E3S4HM-GFCL(旗舰消费级)

  • 容量架构:16Gb(2GB)×8=16GB

  • 性能参数:4266Mbps,CL19,x16位宽

  • 功耗管理:DVFS动态调频技术,典型功耗1.5W

  • 封装形式:200-ball FBGA,0.8mm间距

2. K4FHE3D4HA-GFCL(AI/VR专用)

  • 能效优化:3733Mbps下功耗降低18%

  • 特殊设计:内置温度传感器,支持突发写入加速

  • 兼容性:与K4F6E3S4HM物理引脚兼容

3. K4U6E3S4AB-MGCL(工业级)

  • 环境耐受:-25℃~85℃工作范围,通过AEC-Q100认证

  • 数据保护:片上ECC纠错,误码率<10^-18

  • 机械强度:抗震等级达50G,符合MIL-STD-810G标准

‌三星LPDDR4 (16GB)DRAM芯片的应用

  1. 旗舰智能手机(如三星 Galaxy S 系列)

    • 型号‌:K4F6E3S4HM-GFCL

    • 场景‌:8 颗芯片组成 16GB LPDDR4 内存模块,支持 4K 视频录制与多窗口分屏。通过双通道架构提升 App 启动速度,同时 1.1V 电压设计降低发热量,优化游戏性能。

    • 效果‌:用户实测《原神》帧率稳定 60fps,后台驻留能力提升 30%。

  2. 车载信息娱乐系统(如特斯拉 Model 3)

    • 型号‌:K4U6E3S4AB-MGCL

    • 场景‌:16GB 内存模块用于实时导航与语音交互,宽温设计确保 -20°C~70°C 环境下稳定运行。ECC 功能防止数据丢失,保障行车安全。

    • 效果‌:系统响应速度提升 25%,故障率降低 40%。

  3. AR 眼镜(如 Microsoft HoloLens 2)

    • 型号‌:K4FHE3D4HA-GFCL

    • 场景‌:3733Mbps 速率优化了空间计算延迟,16GB 内存支持高精度 3D 建模与实时渲染。低功耗特性延长设备使用时间至 4 小时以上。

    • 效果‌:手势识别准确率提升至 98%,用户眩晕感减少 50%。

选型建议:

        在消费电子领域,‌K4F6E3S4HM-GFCL‌ 凭借 4266Mbps 高速传输与 1.1V 低功耗设计,成为性价比最优选,尤其适合智能手机、平板等设备;面向 XR 设备场景,‌可选K4FHE3D4HA-GFCL‌,其性能以 3733Mbps 动态速率与能效比突出,显著延长 AR/VR 设备续航;而工业控制领域则首选 ‌K4U6E3S4AB-MGCL‌,其 -25°C~85°C 宽温范围与 ECC 纠错功能,确保在严苛环境下稳定运行,可靠性最强。

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